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GaN薄膜基板転写技術で高感度ガスセンサ実現、ウェアラブル機器に応用-Gatech

ジョージア工科大学(Gatech)の研究グループは、サファイア基板上に形成した窒化ガリウム(GaN)のガスセンサデバイスを金属箔や高分子材料などさまざまな基板に転写移植する技術を開発したと発表した。

[10:09 11/20]

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20年来の電子波の散乱位相問題に決着 - 産総研

産業技術総合研究所(産総研)は、独自に開発・改良した二経路干渉計を用いて位相測定を行うことによって、電子波の位相変化が人工原子の内部構造を反映することを実証したと発表した。今後、高精度な位相測定による新たな物理現象の解明および電子波の位相制御を用いた量子情報デバイスなどへの応用が期待されるという。

[13:05 11/24]

光で磁石の性質が消える? - 東北大

東北大学は、金属磁石に強い光をあてることで、すべての電子のスピンが同じ向きに揃った配列から互い違いに逆向きの配列となり、瞬時に磁石としての性質を失うことを理論計算シミュレーションにより示すことを成功したと発表した。

[15:59 11/17]

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曲がるディスプレイも可能!? - 次世代電子材料の分子システムの開発に成功

東京大学(東大)と筑波大学は11月16日、次世代電子材料として期待されている有機半導体材料の分子システムの開発に成功したと発表した。

[15:10 11/17]

グラフェンと異なる新たなスピントロニクス材料を発見 - 東北大

東北大学は、層状半導体GaSeが、従来のGaAsに比べて10倍以上大きなスピン軌道相互作用を示すことを発見した。スピン起動相互作用は、磁場を用いることなくスピン生成・操作・検出を可能にするため、同材は、強磁性体を一切用いない高速・低電力化が可能な電界効果スピントラジスタの実現に有望な材料であることが期待される。

[15:39 11/9]

広大と東大、トポロジカル絶縁体への光照射後の効果を持続させることに成功

広島大学と東京大学は、世界最高エネルギー分解能を有する時間・角度分解光電子分光装置を用いることで、トポロジカル絶縁体における非平衡状態の持続時間が結晶内部の絶縁性とディラック点位置によって支配されていることを突き止め、結晶の表層にいるディラック電子の光に対する応答時間を飛躍的に長くすることに成功したと発表した。

[12:30 11/1]

放射線に強いセラミックスは「自己修復」をしていた - JAEAと量研機構

日本原子力研究開発機構(JAEA)と量子科学技術研究開発機構(量研機構)は、特定のセラミックスが放射線に強い理由を探るために、高エネルギー重粒子線を照射したセラミックスに形成される数nmの超微細組織を観察する手法を開発した。その結果、放射線に強いものは再結晶による自己修復能力を持っていることが示唆された。

[17:55 10/30]

東北大、金属電極の電化注入効率を凌駕する有機半導体を開発

東北大学は、有機半導体デバイスに使用される電極において、これまで報告されている中で最も優れた性能を示す電極を開発する事に成功したと発表した。研究グループは、この新しい電極は基礎科学の観点から重要であるばかりでなく、高性能な電界発光素子などの電極としての利用も期待されると説明している。

[12:53 10/23]

静電気による二次元薄膜の相変化を実証、新原理メモリへ応用 - バークレー研究所

ローレンス・バークレー国立研究所らの研究チームは、二次元薄膜材料に電子を注入する「静電気ドーピング」と呼ばれる手法を使って、二次元薄膜の原子構造に可逆的な相変化を起こすことができることを実証した。新しいタイプの相変化メモリなどに応用できると考えられている。

[12:33 10/23]

グラフェンとSiCの界面に潜むフォノンを発見 - 東大や東北大など

東京大学(東大)と東北大学(東北大)は、シリコンカーバイド(SiC)上のエピタキシャルグラフェンにおいて、走査トンネル顕微鏡(STM)による電流測定に現れるフォノンのシグナルの空間依存性を高精度に測定し、SiC基板とグラフェンの界面に潜む低エネルギーフォノンの存在を明らかにしたことを発表した。

[16:28 10/20]

電流を流すと、磁石になる半導体 - 東京理科大と岡山大

東京理科大学は、単体元素テルル半導体に直流電流を流すことで、非磁性体であるテルルに磁性を持たせることに成功したと発表した。

[15:03 10/20]

次世代光デバイスの実現に期待 - 物質中で光の情報を制御する現象を発見

東京大学(東大)は、二硫化モリブデンの単層を用いて、入射光の偏光情報を保った励起子を伝達し、選択的に空間分離することが可能な現象(励起子ホール効果)を発見したと発表した。

[16:05 10/13]

磁気スキルミオンを利用した高密度・高速メモリの実現めざす - MIT

マサチューセッツ工科大学(MIT)とドイツの研究チームは、磁気スキルミオンを特定の位置に自由に作り出すことに成功したと発表した。磁気スキルミオンを利用した高密度磁気メモリの実現に向けた重要な成果であるとする。研究論文は、「Nature Nanotechnology」に掲載された。

[12:43 10/13]

光チップ上に人工シナプスを実装、脳型コンピュータ実現めざす - エクセター大など

エクセター大学、オックスフォード大学、ミュンスター大学の研究チームは、ヒトの脳におけるシナプスの動作を模倣した人工シナプスを、光チップを用いて実装することに成功したと発表した。脳型コンピュータ実現のための重要な技術であるとしている。

[12:34 10/6]

産総研、透過電子顕微鏡画像から結晶欠陥を容易に検出する技術を開発

産業技術総合研究所(産総研)は、同所分析計測標準研究部門の津田浩 総括研究主幹、同部門 非破壊計測研究グループの李志遠 主任研究員、王慶華 研究員と、東芝デバイス&ストレージが共同で、結晶の透過電子顕微鏡画像から欠陥を検出できる画像処理技術を開発したことを発表した。同技術の詳細は9月19日、英国科学誌「Nanotechnology」のオンライン版に掲載された。

[14:12 10/5]

磁壁メモリの実用化へ前進-フェリ磁性体を用いて新たな磁壁移動機構を発見

京都大学は、フェリ磁性体における超高速な磁壁移動を見いだしたと発表した。この新しい移動機構によって磁壁移動速度が従来の数倍(2km/s)になることが明らかとなった。磁壁の移動を利用したメモリは次世代磁気メモリとして期待されており、同成果は、フェリ磁性体を用いることで高速な磁壁メモリが実現可能であることを示唆するものとなる。

[18:09 9/29]

ナノスケール光量子メモリの1チップ集積化に成功 - Caltechなど

カリフォルニア工科大学(Caltech)をはじめとする国際研究チームは、ナノスケールの光量子メモリの開発に成功したと発表した。光子を用いて情報を保存するデバイスを1個のチップ上に集積したものであり、量子力学特有の現象である量子重ね合わせ状態を利用してデータ保存の効率と安全性を高められるとしている。

[12:35 9/29]

ワイル粒子で駆動する新たな磁性体「ワイル磁性体」を発見 - 東大

東京大学(東大)および理化学研究所(理研)は9月26日、質量ゼロの粒子である「ワイル粒子」を反強磁性体マンガン化合物の内部で実験的に発見し、強磁性体や反強磁性体とは異なる新たな磁性体「ワイル磁性体」を見出したと発表した。

[14:30 9/26]

パワーデバイス用φ2インチ酸化ガリウムエピタキシャルウエハを量産開始

ノベルクリスタルテクノロジーは、タムラ製作所、東京農工大学と共同開発した次世代パワーデバイス用のφ2インチ酸化ガリウムエピタキシャルウエハ(以下、Ga2O3エピウエハ)を量産することを発表した。

[12:14 9/19]

グラフェンの厚さの違いと電子の動きは関係している - KEKなどが観察に成功

高エネルギー加速器研究機構(KEK)、東京工業大学(東工大)、フランス国立科学研究センター(CNRS)、ピエール アンド マリー キュリー大学などで構成される研究グループは9月15日、一般的に使われている方法で作成されたグラフェンの結晶構造の違いに由来した電子輸送特性の観察に成功し、構造と電子輸送特性を直接関連付ける結果を得たと発表した。

[19:45 9/15]

ナノチューブデバイスの実用化に期待 - 東北大、CNTの原子構造制御法を開発

東北大学は9月12日、カーボンナノチューブ(CNT)の新たな構造制御法の開発に成功したことを明らかにした。

[19:09 9/15]

NICTなど、多数の光信号を同時に電気信号に変換できる受光素子を開発

情報通信研究機構(NICT)と早稲田大学は9月14日、光通信において波長多重伝送をはじめ将来のマルチコアファイバなどの多チャネル光信号の一括受信を可能とする集積型受光素子を開発したと発表した。

[17:22 9/15]

日立、SiCを用いたCMOS集積回路技術を開発-苛酷環境下でのセンシングを実現

日立製作所は9月14日、SiCを用いたCMOS集積回路技術(SiC-CMOS)を開発したことを発表した。同成果の詳細は、2017年9月17日~22日にかけて米国ワシントンDCで開催される国際会議「ICSCRM(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials)」にて発表される予定だという。

[16:24 9/15]

東北大など、光照射によって「巨大な」磁気の波が生成されることを発見

東北大学は、高輝度光科学研究センター(JASRI)、大阪大学大学院基礎工学研究科、大阪大学大学院工学研究科、日本大学、および愛知医科大学と共同で、磁性合金薄膜にパルス光を照射することにより、これまでにない巨大な磁気の波が生成されることを発見した。

[11:45 9/15]

慶大、金属内包シリコンケージ超原子の大量合成・構造決定に成功

慶應義塾大学は、同大理工学部化学科の角山寛規専任講師、および中嶋敦教授らの研究グループが、京都大学化学研究所 水畑吉行准教授、および時任宣博教授らと共同で、気相中で生成させた化学種を液体中に直接打ち込むという新たな手法を開発し、金属原子1個を内包したシリコン原子16個からなるケージをもつ球形の「金属内包シリコンナノクラスターM@Si16」を大量合成し、構造決定することに成功したことを発表した。

[09:40 9/15]

NICT×早大、多数の光信号を電気信号に変換する高速集積型受光素子を開発

NICTネットワークシステム研究所は、早稲田大学理工学術院 川西哲也教授と共同で、多数の光信号を同時に受信し、高速に電気信号に変換する高速集積型受光素子を開発したことを発表した。

[17:14 9/14]

仏Letiなど、高いセキュリティを実現できる高解像度な指紋センサを開発

フランス原子力庁の電子・情報技術研究所(CEA-Leti)は9月5日(欧州時間)、同研究所が陣頭指揮する欧州の研究開発プロジェクト「ピエゾエレクトリック・ナノワイヤ・マトリックス(PIEZOelectric nanowire MATrices:PiezoMAT)」が、米国連邦捜査局(FBI)が要求している解像度の2倍の解像度を実現した圧力ベースの指紋センサを開発したと発表した。

[08:00 9/8]

産総研、単結晶並みの圧電定数を示すGaN圧電薄膜を作製

産業技術総合研究所(産総研)は、RFスパッタ法を用いて、単結晶と同等の圧電性能を示す窒化ガリウム(GaN)薄膜を作製できる方法を発見したと発表した。さらに、スカンジウム(Sc)添加で圧電性能が飛躍的に向上することを実証した。同材は窒化アルミニウムと同様に機械的特性に優れ、センサやエナジーハーベスタなどへの応用が期待される。

[15:55 9/1]

単分子磁石の温度記録更新、実用的な液体窒素温度に近づく - マンチェスター大

マンチェスター大学の研究チームは、単分子磁石が磁気ヒステリシスを示す温度について、これまでで最も高い60K(-213℃)を達成したと発表した。単分子磁石を磁気記録媒体として低コストで利用するための目安となる液体窒素温度(-196℃)にかなり近づけたことになり、今後の実用化に向けた研究の進展が期待される。

[10:52 9/1]

次世代パワー半導体技術である銀粒子焼結接合の適用範囲が拡大 - 阪大

大阪大学(阪大)産業科学研究所は8月31日、菅沼克昭教授らの研究グループが、次世代パワー半導体接続技術である銀粒子焼結接合において、低温・無加圧化に加え電極を選ばないダイアタッチを実現したと発表した。

[16:55 8/31]

富士色素、ぺロブスカイト型量子ドットの大量生産方法を確立

冨士色素は、ペロブスカイト型量子ドットの大量生産方法を確立したと発表した。ぺロブスカイト型量子ドットは、発光スペクトルの半値幅が狭いという特徴がある。これにより、他の量子ドットと比較して、より鮮明な色を出せるディスプレイ用途などといったさまざまな用途での応用が期待される。

[14:55 8/30]

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